写存储器总线周期
写存储器总线周期的信号时序如图5.5所示。
本总线周期是在T1内的ALE信号有效后开始的。ALE的下降沿表示地址信号已经有效,可以采样地址信号。该地址信号代表要写的存储器的单元地址。在T2时间内,信号MEMW有效,一方面表示现在是存储器写周期,另一方面,表明开始将数据送到总线上。在T3时间内下降沿处,同样检测READY信号(表示准备好),根据READY信号决定是否插入Tw周期和插入Tw周期的个数;进入T4时间内,数据写入到地址信号所选中的存储单元内,撒除总线上的数据。
写存储器总线周期
写存储器总线周期的信号时序如图5.5所示。
本总线周期是在T1内的ALE信号有效后开始的。ALE的下降沿表示地址信号已经有效,可以采样地址信号。该地址信号代表要写的存储器的单元地址。在T2时间内,信号MEMW有效,一方面表示现在是存储器写周期,另一方面,表明开始将数据送到总线上。在T3时间内下降沿处,同样检测READY信号(表示准备好),根据READY信号决定是否插入Tw周期和插入Tw周期的个数;进入T4时间内,数据写入到地址信号所选中的存储单元内,撒除总线上的数据。