(5)动态基本存储电路（单元）
动态基本存储单元是以电荷的形式存储信息的。信息以电荷的形式存储在MOS管柵极之间的极间电容上或直接存储在电容上。动态基本存储单元有6管型、4管型、3管型及单管型4种。其中单管型由于结构简单，集成度高，被广泛采用。如图4.6所示是一个单管型基本存储电路的示意图。
在如图4.6所示中，T是MOS管。数据以电荷的形式存储在电容Cs上，MOS管T起开关作用，Cd是数据线上的分布电容。当译码选择线处于高电平时（选中），T导通，就可以读出和写入数据。
写入数据：译码选择线出现高电平，T导通，数据线和C接通，数据线上的电平给Cs充电（放电）。写入“1”时将C充电到高电平，写入“0”时将Cs放电到低电平。
读出数据：读出数据前，应将数据线预先置一个高电平V,译码选择线出现高电平，T导通，数据线和Cs接通，Cs、和Cd上的电位进行重新分配。根据Cs的电位，最终可以在数据线上得到不同的电压。根据这个电压值的不同，判断读出的是“1”还是“0”。这样一来，数据线就读出来了。
从上面说的读出/写入过程可以看出，通过读出/写入操作，Cs的电位在读出后发生了变化。从另一个方面看，T虽然是截止的，但由于存在极间电阻，Cs的电荷也会慢慢泄放，导致Cs的电位慢慢降低，时间长了，原来存储的高电平可能变化为低电平，即原来存储的“1”变成了“0”。这种状态是不允许的。在Cs的电平达到低电平之前，必须采取办法使Cs的电平恢复到原来的状态，这个过程就称做刷新。显然，刷新需要周期性地进行。刷新操作由存储器中的专门的逻辑电路完成。正因为需要周期性地刷新，所以才叫动态RAM。