(4)静态基本存储电路（单元）
前面介绍过存储器的每一个存储单元由若干基本存储电路（又称基本存储单元）组成。每一个存储单元存储一个字，每一个基本存储电路存储一位数据，即一个二进制代码“0”或“1”。静态RAM的基本存储单元如图4.5所示。
如图4.5中所示，T1和T2为放大管，T3和T4为负载管，T1、T2、T3、T4组成一个双稳态触发器。假设T1导通，则A点为低电平，T2就会截止，B点为高电平，进一步使T1饱和导通、保持A点为低电平，B点为高电平：相应地，T2导通，则B点为低电平，T1截止，A点为高电平，T2进一步饱和导通，保持A点为高电平，B点为低电平。假设A点高电平，B点低电平代表“1”，那么，A点低电平，B点高电平就可以代表“0”。可见，这个双稳态电路可以保存一个二进制数据位。T5、T6、T7、T8为控制管，T5、T6的基极接到X地址译码线上，T?、T8的基极接到Y地址译码线上。当基本存储单元没有被选中时，T5、T6、T7、T8都处于截止状态，A点电平和B点电平保持不变，存储的信息不受影响。T7、T8的接收极接到1O的反向端，T7、T8为一列中所有的基本存储单元所共用，不是某一个基本存储单元所独有。
对基本存储单元的读操作过程是：X译码器的地址线X和Y译码器的地址线Y都是高电平，T5、T6、T7、T8全部导通，A点的电位从I/0输出，B点的电位从I/O输出。假设A点是高电平，则读出了“1”，否则，读出了“0”。写操作过程也是相似的，X和Y都是高电平，T5、T6、T7、T8全部导通，从I/O和I/O线上分别输入“1”和“0”，A点为高电平，T2截止，B点为低电平，完成了写“1”从I/O和/I/O线上分别输入“0”和“，则写入“0”。
由于T1和T2管总有一个导通，需要消耗电能，因此功耗较大。但它不需要刷新电路。
使得电路简单，同时，存取速度也比动态RAM快。