1.RAM存储器
RAM存储器按电路类型可以分为双极型和单极型(MOS型)两种。双极型存储器由于集成度低、功耗大、价格贵，在微型计算机中基本不被采用。而MOS型存储器由于集成度高，功耗低，价格便宜，在微机中得到普遍使用。MOS型RAM又包括静态RAM(Static RAM)和动态RAM(Dynamic RAM)。
半导体存储器一般由地址译码器、存储矩阵、控制逻辑和3态双向缓冲器等部分组成，
如图4.2所示。
(1)存储矩阵
能够寄存二进制信息的基本存储电路的集合称为存储体。为了便于信息的写入和读出，存储体中的这些基本存储电路应当配置成一定的阵列，即按一定的规律排列，并进行编址，因而存储体又称为存储矩阵。
存储矩阵中基本存储电路的排列方法通常有3种，即NX1结构、N×4结构及N×8结构。NX1结构称为位结构，常用在动态存储器RAM和大容量的静态存储器RAM中；NX4结构和N×8结构称为字结构，常用于容量较小的静态RAM中。
(2)地址译码器
存储器的地址线是有限的，可能是4根，8根，16根…目前单个芯片容量已达512MB以上，对应如此的容量，不可能用一个地址线去控制一个存储单元。实际上，存储器采取译码器译码的方式，将地址线上的地址信号进行译码，产生译码信号，以选中某一个存储单元，再配合逻辑控制电路进行读/写操作。
存储矩阵中基本存储电路的编址方法有两种，一种是单译码编址方式，如图43所示，适用于小容量字结构存储器中：另一种是双译码（也叫复合译码）编址方法，如图4.4所示，适用于大容量的存储器中。
单译码编址方式中，字线选择一个字的所有位。如图4.3所示的是一种单译码编址方式。它有5根地址线，可以译出32个选择状态，所以，该存储器的容量是32×4，也就是32个字，每个字都是4位。存储矩阵排列成32行×4列，每一行就是存储一个字(1个存储单元，由4个基本存储电路组成)。横着的线（译码产生的电平）是字选择线，竖立的线是输出/输入数据线。同一列的基本存储单元有两根数据线，这两根数据线始终是相反的，即一个是“0”，另一个必然是“1”。例如，地址线上是10100时，选中第20号字线，将第20号存储单元中的数据读出或写入。
双译码编址方式中，有两个地址译码器，如图4.4所示。X地址译码器有4根地址线，可产生16个译码信号，Y地址译码器也有4根地址线，同样可以产生16根地址选择线。如果不看Y地址译码器，它与单译码编址方式一样，由X0…X15选择每一个字（本图中一个字只有一位)，X,(i=0—15)选中后，所有位的数据从列线（数据线）上输出。但由于列线上有MOS管，需要打开以后，数据才能通过MOS管，进而通过/O控制模块（写入/读出）。MOS管由Y地址译码器的输出线控制，只有一个Y,是有效的，也只有与Y相连的MOS管才能导通，可见，由X,和Y,共同控制数据的写入/读出。本图所示的情况是256个字，每一个字是1位，存储矩阵排列成16行×16列。若采用单译码结构，本图所示情况需要256根信号线。